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非侵入性腦刺激有助於增強記憶力~本校附設醫院陳睿正醫師科學家引進改良受到醫學界關注

日期:2015-08-26

資料來源:公共事務處 吳嵩山 新聞總監

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老齡化記憶力衰退者的福音;中國醫藥大學附設醫院陳睿正醫師科學家引進改良一套經顱電刺激設備,通過使用非侵入性的電流刺激大腦特定的區域,即經顱電刺激,有助於增強記憶力,也為退化性的疾病如帕金森氏病或阿滋海默症開闢了一個新的治療的契機。

倫敦大學神經醫學博士陳睿正醫師表示,非侵入性腦刺激即經顱電刺激(TDCS)或磁刺激(TMS)不需要借助手術和藥物,就可以有效的改變成人大腦的記憶功能,這種非侵入性刺激不但可以提高學習新事物的能力,它在治療記憶力衰退方面更擁有巨大的潛力。

國際知名《科學》雜誌刊登新發表的一篇研究論文亦証實,通過使用非侵入性的磁脈衝電流刺激大腦特定的區域,即經顱磁刺激,可以增強記憶力。

陳睿正醫師科學家曾在牛津大學臨床神經科學部與腦部深層電刺激權威Prof. Peter Brown研究,專精於帕金森氏症藥物與腦起搏器深層電刺激治療,對斜頸症與眼痙攣等肌張力不全肉毒桿菌治療與動作障礙相關失智症亦有鑽研。他說,顱磁刺激(TMS)導航系統,係非侵入性且安全的方式,像磁鐵一樣,產生一個短暫但大概三萬倍於地球的磁場,並借由法拉利磁生電的原理,直接對腦中特定區域發出磁性脈沖,進而興奮大腦的神經元,經由重複的刺激直接改變的大腦的神經可塑性。

一般而言,海馬體為腦部儲存記憶的地方,為最佳刺激點;2014年的諾貝爾醫學獎得主倫敦大學約翰奧基夫教授即為研究海馬體的權威,但想用經顱磁刺激直接刺激海馬體是不太可能的;陳睿正醫師說,因為海馬體在大腦深處,非侵入性的刺激很難穿透並達到此區。所以必須找到距離腦殼僅僅幾個釐米的表面大腦區域與海馬體的關聯性,並給予刺激。當大腦的各個區域與海馬體的同步性越來越好時,就會使人們更容易學習新知識。

另外,通過穿顱電刺激(TDCS)也可以提高記憶力;陳睿正醫師科學家表示,它是使用一種極微小的電流,貼在腦部需要刺激的準確地方,使用搭載僅有9伏特電池直流電刺激腦部。這種刺激不適感亦極為輕微,牛津大學的教授稍早即證明在年輕人身上可以短暫的增加腦部的閱讀寫作與計算能力。

陳睿正醫師在倫敦大學研究期間,便使用穿顱電刺激以增加腦部對於新事物認知學習能力的實驗並發表論文在國際著名期刊,並轉往牛津大學做研究,希望能進一步的研發相關設備。

陳睿正醫師強調,不管是經顱磁刺激或穿顱電刺激等方法都需要通過長期的實驗,才能確定非侵入性腦刺激這種手段,對記憶障礙患者,是否安全有效,目前國內尚未核准,不過此項方法的確為未來退化性的疾病如帕金森氏病或阿滋海默症增加了新的曙光。


相關圖片:

陳睿正醫師科學家引進改良一套經顱電刺激設備,有助於增強記憶力。

陳睿正醫師科學家引進改良一套經顱電刺激設備,有助於增強記憶力。

陳睿正醫師與研發團隊。

陳睿正醫師與研發團隊。

非侵入性腦刺激即經顱電刺激(TDCS)或磁刺激(TMS)系統有助於增強記憶力。

非侵入性腦刺激即經顱電刺激(TDCS)或磁刺激(TMS)系統有助於增強記憶力。

民時新聞

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